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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
Power dissipation
10.6V
10.6V
500mW
Operating temperature range
SAL, PALpackages
0 ° C to +70 ° C
DA package
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
-55 ° C to +125 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
ALD 1101A
ALD1101B
ALD1101
Test
Parameter
Symbol
Min Typ Max
Min Typ Max
Min
Typ Max
Unit
Conditions
Gate Threshold
Voltage
V T
0.4
0.7
1.0
0.4
0.7
1.0
0.4
0.7
1.0
V
I DS = 10 μ A V GS = V DS
Offset Voltage
V OS
2
5
10
mV
I DS = 100 μ A V GS = V DS
V GS1 - V GS2
Gate Threshold TC VT
-1.2
-1.2
-1.2
mV/ ° C
Temperature Drift
On Drain Current
I DS (ON)
25
40
25
40
25
40
mA
V GS = V DS = 5V
Transconductance G fs
5
10
5
10
5
10
mmho
V DS = 5V I DS = 10mA
Mismatch
? G fs
0.5
0.5
0.5
%
Output
G OS
200
200
200
μ mho
V DS = 5V I DS = 10mA
Conductance
Drain Source
R DS(ON)
50
75
50
75
50
75
?
V DS = 0.1V V GS = 5V
ON Resistance
Drain Source
ON Resistance
? R DS(ON)
0.5
0.5
0.5
%
V DS = 0.1V V GS = 5V
Mismatch
Drain Source
Breakdown
BV DSS
12
12
12
V
I DS = 10 μ A V GS =0V
Voltage
Off Drain Current
I DS(OFF)
0.1
4
0.1
4
0.1
4
nA
V DS =12V V GS = 0V
4
4
4
μ A
T A = 125 ° C
Gate Leakage
I GSS
1
50
1
50
1
50
pA
V DS =0V V GS =12V
Current
10
10
10
nA
T A = 125 ° C
Input
C ISS
6
10
6
10
6
10
pF
Capacitance
ALD1101A/ALD1101B/ALD1101
Advanced Linear Devices
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